IXFJ32N50Q

厂家：: Ixys
封装：: TO-220-3（SMT）标片
数量：: 3312
说明：: MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds

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IXFJ32N50Q PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：75 ns
工厂包装数量：30
上升时间：42 ns
功率耗散：360 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：20 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-268
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.15 Ohms
漏极连续电流：32 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFJ32N50Q的详细信息，包括IXFJ32N50Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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