IXFH14N80P

厂家:
  Ixys
封装:
 TO-247-3
数量:
 1947  
说明:
 MOSFET DIODE Id14 BVdass800
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IXFH14N80P PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:62 ns
工厂包装数量:30
功率耗散:400 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Tube
封装形式:TO-247
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.7 Ohms
漏极连续电流:14 A
汲极/源极击穿电压:800 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:IXYS

以上是IXFH14N80P的详细信息,包括IXFH14N80P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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