IXFB100N50Q3

厂家：: Ixys
封装：: TO-264-3，TO-264AA
数量：: 4506
说明：: MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/100A

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IXFB100N50Q3 PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：250 ns
功率耗散：1560 W
栅极电荷 Qg：255 nC
包装形式：Tube
封装形式：PLUS 264
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：49 mOhms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFB100N50Q3的详细信息，包括IXFB100N50Q3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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