IXBA16N170AHV-TRL

厂家：: IXYS
封装：: TO-263HV
数量：: 7713
说明：: DISC IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT TO-

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IXBA16N170AHV-TRL PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：360 ns
测试条件：1360V，10A，10 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：15ns/160ns
栅极电荷：65 nC
输入类型：标准
开关能量：1.2mJ（关）
功率 - 最大值：150 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：6V @ 15V，10A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：40 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：16 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：1700 V
IGBT 类型：-
产品状态：在售
包装：BIMOSFET?
系列：卷带（TR）
品牌：IXYS

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