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中文参数如下:
工厂包装数量:42
输出电流:6 A
工作电源电压:10 V to 35 V
输出端数量:2
激励器数量:2
最小工作温度:- 40 C
配置:Non-Inverting
包装形式:Box
封装形式:SOIC-CT-18
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 125 C
最大功率耗散:1250 mW
电源电压-最小:10 V
下降时间:25 ns
上升时间:35 ns
类型:MOSFET/IGBT Half-Bridge Gate Driver
产品:Half-Bridge Drivers
RoHS:是
制造商:IXYS
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