ISL9N303AP3

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220-3
数量：: 7389
说明：: MOSFET N-Ch UltraFET Logic Level

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ISL9N303AP3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：ISL9N303AP3_NL
典型关闭延迟时间：35 ns, 51 ns
工厂包装数量：400
上升时间：80 ns, 69 ns
功率耗散：215 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：25 ns, 21 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0026 Ohms
漏极连续电流：75 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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