IRLD110PBF

厂家：: Vishay Semiconductors
封装：: 4-DIP（0.300"，7.62mm）
数量：: 3177
说明：: MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp

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IRLD110PBF PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：16 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：47 ns
功率耗散：1300 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：47 ns
包装形式：Tube
封装形式：HexDIP-4
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：540 mOhms at 5 V
漏极连续电流：1 A
闸/源击穿电压：+/- 10 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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