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IRL510STRR

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：
 1701  
说明：
 MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
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IRL510STRR-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

IRL510STRR PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：540 毫欧 @ 3.4A, 5V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.6A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：6.1nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：250pF @ 25V
功率 - 最大：3.7W
安装类型：表面贴装

以上是IRL510STRR的详细信息，包括IRL510STRR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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