IRG8CH37K10F

厂家：: Infineon Technologies
封装：: -
数量：: 1359
说明：: IGBT 1200V 100A DIE

一、本商品被浏览0次.

IRG8CH37K10F PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装封装/外壳：-
安装类型：-
工作温度：-
反向恢复时间 (trr)：-
测试条件：600V，35A，5 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：35ns/190ns
栅极电荷：210 nC
输入类型：标准
开关能量：-
功率 - 最大值：-
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，35A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：-
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
IGBT 类型：-
产品状态：Digi-Key 停止提供
包装：-
系列：散装
品牌：Infineon Technologies

以上是IRG8CH37K10F的详细信息，包括IRG8CH37K10F厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：