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IRFSL9N60ATRR

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
数量：
 5283  
说明：
 MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
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IRFSL9N60ATRR-TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA图片

IRFSL9N60ATRR PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C750 毫欧 @ 5.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)600V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs49nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.2A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1400pF @ 25V
功率 - 最大170W
安装类型通孔

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