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IRFIB8N50KPBF

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-220-3 全封装，隔离接片
数量：: 7335
说明：: MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp

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IRFIB8N50KPBF PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：28 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：16 ns
功率耗散：45 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8.4 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220 Full-Pak
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.35 Ohms
漏极连续电流：6.7 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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