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IRFI830G

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-220-3 全封装，隔离接片
数量：
 3663  
说明：
 MOSFET N-Chan 500V 3.1 Amp
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IRFI830G-TO-220-3 全封装，隔离接片图片

IRFI830G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：42 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：16 ns
功率耗散：35 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：16 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220 Full-Pak
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.5 Ohms
漏极连续电流：3.1 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFI830G的详细信息，包括IRFI830G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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