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IRFBC20STRR

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：
 5355  
说明：
 MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
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IRFBC20STRR-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

IRFBC20STRR PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.4 欧姆 @ 1.3A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.2A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：18nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：350pF @ 25V
功率 - 最大：3.1W
安装类型：表面贴装

以上是IRFBC20STRR的详细信息，包括IRFBC20STRR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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