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IRFB9N30A

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-220-3
数量：
 5832  
说明：
 MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C450 毫欧 @ 5.6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)300V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.3A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 920pF @ 25V
功率 - 最大96W
安装类型通孔

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