IRF7759L2TR1PBF

厂家:
  International Rectifier
封装:
 DirectFET? 等距 L8
数量:
 2097  
说明:
 MOSFET 75V 160A 2.3mOhm 220nC Qg
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IRF7759L2TR1PBF PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:1000
上升时间:37 ns
功率耗散:125 W
栅极电荷 Qg:200 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :74 S
下降时间:33 ns
包装形式:Reel
封装形式:Direct-FET L8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.8 mOhms
漏极连续电流:160 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:75 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRF7759L2TR1PBF的详细信息,包括IRF7759L2TR1PBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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