IRF7665S2TR1PBF

厂家：: International Rectifier
封装：: DirectFET? 等距 SB
数量：: 1053
说明：: MOSFET MOSFT 100V 14.7A 60mOhm 8.3nC Qg

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IRF7665S2TR1PBF PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：1000
上升时间：6.4 ns
功率耗散：15 W
栅极电荷 Qg：8.3 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：8.8 S
下降时间：3.6 ns
包装形式：Reel
封装形式：Direct-FET SB
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：51 mOhms
漏极连续电流：14.4 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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