IRF6641TR1PBF

厂家：: International Rectifier
封装：: DirectFET? 等容 MZ
数量：: 2988
说明：: MOSFET MOSFT 200V 26A 60mOhm 34nC Qg

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IRF6641TR1PBF PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：1000
上升时间：11 ns
功率耗散：89 W
栅极电荷 Qg：34 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：13 S
下降时间：6.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：Direct-FET MZ
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：51 mOhms
漏极连续电流：4.6 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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