IRF1405ZSTRRPBF

厂家:
  International Rectifier
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 5850  
说明:
 MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms 120nC
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IRF1405ZSTRRPBF PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:48 ns
工厂包装数量:800
上升时间:110 ns
功率耗散:230 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:120 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :88 S
下降时间:82 ns
包装形式:Reel
封装形式:D2PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single Quint Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):4.9 mOhms
漏极连续电流:150 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:55 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

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