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IRD3CH24DB6

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 触片
数量：
 4446  
说明：
 DIODE GEN PURP 1.2KV 40A WAFER
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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：触片
封装/外壳：模具
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：10 μA @ 1200 V
反向恢复时间 (trr)：250 ns
速度：快速恢复 = 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.7 V @ 40 A
电流 - 平均整流 (Io)：40A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
技术：标准
产品状态：停产
包装：-
系列：散装
品牌：Infineon Technologies

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