IQE013N04LM6CGSCATMA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 9-PowerWDFN
数量:
 5175  
说明:
 OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
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IQE013N04LM6CGSCATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:9-PowerWDFN
封装/外壳:PG-WHTFN-9-1
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
同步整流器:2.5W(Ta),107W(Tc)
频率 - 开关:-
电流 - 输出:3800 pF @ 20 V
电压 - 输出(最大值):±20V
电压 - 输出(最小值/固定):41 nC @ 10 V
电压 - 输入(最大值):2V @ 51μA
电压 - 输入(最小值):1.35 毫欧 @ 20A,10V
输出数:4.5V,10V
输出类型:31A(Ta),205A(Tc)
拓扑:40 V
输出配置:MOSFET(金属氧化物)
功能:N 通道
产品状态:在售
包装:OptiMOS? 6
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Infineon Technologies

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