IQE006NE2LM5CGSCATMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 9-PowerWDFN
数量：: 4095
说明：: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

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IQE006NE2LM5CGSCATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：9-PowerWDFN
封装/外壳：PG-WHTFN-9-1
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
同步整流器：2.1W（Ta），89W（Tc）
频率 - 开关：-
电流 - 输出：5453 pF @ 12 V
电压 - 输出（最大值）：±16V
电压 - 输出（最小值/固定）：82 nC @ 10 V
电压 - 输入（最大值）：2V @ 250μA
电压 - 输入（最小值）：580 μ欧姆 @ 20A，10V
输出数：4.5V，10V
输出类型：47A（Ta），310A（Tc）
拓扑：25 V
输出配置：MOSFET（金属氧化物）
功能：N 通道
产品状态：在售
包装：OptiMOS? 5
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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