IPT012N08NF2SATMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 8-PowerSFN
数量：: 2014
说明：: MOSFET

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IPT012N08NF2SATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：8-PowerSFN
封装/外壳：PG-HSOF-8
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
同步整流器：3.8W（Ta），300W（Tc）
频率 - 开关：-
电流 - 输出：12000 pF @ 40 V
电压 - 输出（最大值）：±20V
电压 - 输出（最小值/固定）：255 nC @ 10 V
电压 - 输入（最大值）：3.8V @ 267μA
电压 - 输入（最小值）：1.23 毫欧 @ 150A，10V
输出数：6V，10V
输出类型：39A（Ta），351A（Tc）
拓扑：80 V
输出配置：MOSFET（金属氧化物）
功能：N 通道
产品状态：在售
包装：StrongIRFET? 2
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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