IPL65R1K5C6SATMA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 8-PowerTDFN
数量:
 7479  
说明:
 MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
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IPL65R1K5C6SATMA1-8-PowerTDFN图片

IPL65R1K5C6SATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:8-PowerTDFN
封装/外壳:PG-TSON-8-2
安装类型:表面贴装型
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
同步整流器:26.6W(Tc)
频率 - 开关:-
电流 - 输出:225 pF @ 100 V
电压 - 输出(最大值):±20V
电压 - 输出(最小值/固定):11 nC @ 10 V
电压 - 输入(最大值):3.5V @ 100μA
电压 - 输入(最小值):1.5 欧姆 @ 1A,10V
输出数:10V
输出类型:3A(Tc)
拓扑:650 V
输出配置:MOSFET(金属氧化物)
功能:N 通道
产品状态:不适用于新设计
包装:CoolMOS? C6
系列:卷带(TR)
品牌:Infineon Technologies

以上是IPL65R1K5C6SATMA1的详细信息,包括IPL65R1K5C6SATMA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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