IPD090N03LGATMA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
数量:
 14031  
说明:
 MOSFET
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IPD090N03LGATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:IPD090N03LGBTMA1 SP000680636
上升时间:3 ns
功率耗散:42 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:15 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :53 S
下降时间:2.6 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):7.5 mOhms
漏极连续电流:40 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPD090N03LGATMA1的详细信息,包括IPD090N03LGATMA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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