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IMZA65R083M1HXKSA1

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-247-4
数量：
 4293  
说明：
 SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
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IMZA65R083M1HXKSA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：TO-247-4
封装/外壳：PG-TO247-4-3
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
同步整流器：104W（Tc）
频率 - 开关：-
电流 - 输出：624 pF @ 400 V
电压 - 输出（最大值）：+20V，-2V
电压 - 输出（最小值/固定）：19 nC @ 18 V
电压 - 输入（最大值）：5.7V @ 3.3mA
电压 - 输入（最小值）：111 毫欧 @ 11.2A，18V
输出数：18V
输出类型：26A（Tc）
拓扑：650 V
输出配置：SiCFET（碳化硅）
功能：N 通道
产品状态：在售
包装：CoolSiC?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IMZA65R083M1HXKSA1的详细信息，包括IMZA65R083M1HXKSA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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