IMW65R030M1HXKSA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-247-3
数量:
 6117  
说明:
 SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
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IMW65R030M1HXKSA1 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:TO-247-3
封装/外壳:PG-TO247-3-41
安装类型:通孔
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
同步整流器:197W(Tc)
频率 - 开关:-
电流 - 输出:1643 pF @ 400 V
电压 - 输出(最大值):+20V,-2V
电压 - 输出(最小值/固定):48 nC @ 18 V
电压 - 输入(最大值):5.7V @ 8.8mA
电压 - 输入(最小值):42 毫欧 @ 29.5A,18V
输出数:18V
输出类型:58A(Tc)
拓扑:650 V
输出配置:SiCFET(碳化硅)
功能:N 通道
产品状态:在售
包装:CoolSiC?
系列:管件
品牌:Infineon Technologies

以上是IMW65R030M1HXKSA1的详细信息,包括IMW65R030M1HXKSA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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