IMT65R022M1HXUMA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 8-PowerSFN
数量:
 5139  
说明:
 SILICON CARBIDE MOSFET
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IMT65R022M1HXUMA1 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:8-PowerSFN
封装/外壳:PG-HSOF-8-1
安装类型:表面贴装型
工作温度:-
同步整流器:-
频率 - 开关:-
电流 - 输出:-
电压 - 输出(最大值):-
电压 - 输出(最小值/固定):-
电压 - 输入(最大值):-
电压 - 输入(最小值):-
输出数:18V
输出类型:-
拓扑:650 V
输出配置:SiCFET(碳化硅)
功能:-
产品状态:在售
包装:CoolSiC?
系列:卷带(TR)
品牌:Infineon Technologies

以上是IMT65R022M1HXUMA1的详细信息,包括IMT65R022M1HXUMA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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