IMBG65R048M1HXTMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA
数量：: 5721
说明：: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

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中文参数如下：
封装：TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA
封装/外壳：PG-TO263-7-12
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
同步整流器：183W（Tc）
频率 - 开关：-
电流 - 输出：1118 pF @ 400 V
电压 - 输出（最大值）：+23V，-5V
电压 - 输出（最小值/固定）：33 nC @ 18 V
电压 - 输入（最大值）：5.7V @ 6mA
电压 - 输入（最小值）：64 毫欧 @ 20.1A，18V
输出数：18V
输出类型：45A（Tc）
拓扑：650 V
输出配置：SiCFET（碳化硅）
功能：N 通道
产品状态：在售
包装：CoolSiC?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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