IMBG120R030M1HXTMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA
数量：: 6462
说明：: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263

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IMBG120R030M1HXTMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA
封装/外壳：PG-TO263-7-12
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
同步整流器：300W（Tc）
频率 - 开关：标准
电流 - 输出：2290 pF @ 800 V
电压 - 输出（最大值）：+18V，-15V
电压 - 输出（最小值/固定）：63 nC @ 18 V
电压 - 输入（最大值）：5.7V @ 11.5mA
电压 - 输入（最小值）：41 毫欧 @ 25A，18V
输出数：-
输出类型：56A（Tc）
拓扑：1200 V
输出配置：SiCFET（碳化硅）
功能：N 通道
产品状态：在售
包装：CoolSiC?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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