IMBD4448-E3-08

厂家:
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装:
 SOT-23-3
数量:
 3303  
说明:
 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
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IMBD4448-E3-08 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:SOT-23-3
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
安装类型:表面贴装型
不同?Vr、F 时电容:-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5 μA @ 70 V
反向恢复时间 (trr):4 ns
速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA
电流 - 平均整流 (Io):150mA
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V
技术:标准
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR)
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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