IKP08N65H5XKSA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO220-3-111
数量：: 5189
说明：: IGBT 650V 18A TO220-3

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IKP08N65H5XKSA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-220-3 整包
安装类型：通孔
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：40 ns
测试条件：400V，4A，48 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：11ns/115ns
栅极电荷：22 nC
输入类型：标准
开关能量：70μJ（开），30μJ（关）
功率 - 最大值：70 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，8A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：24 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：18 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：-
产品状态：在售
包装：TrenchStop?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

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