IGD15N65T6ARMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO252-3
数量：: 6541
说明：: IGD15N65T6ARMA1

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IGD15N65T6ARMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
安装类型：表面贴装型
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：-
测试条件：400V，11.5A，47 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：30ns/117ns
栅极电荷：37 nC
输入类型：标准
开关能量：230μJ（开），110μJ（关）
功率 - 最大值：100 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，11.5A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：57.5 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：不适用于新设计
包装：TrenchStop?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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