IDP08E65D2XKSA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-220-2
数量:
 3116  
说明:
 DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
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IDP08E65D2XKSA1 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:TO-220-2
封装/外壳:TO-220-2
安装类型:通孔
不同?Vr、F 时电容:-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 μA @ 650 V
反向恢复时间 (trr):40 ns
速度:快速恢复 = 200mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.3 V @ 3 A
电流 - 平均整流 (Io):8A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
技术:标准
产品状态:在售
包装:-
系列:管件
品牌:Infineon Technologies

以上是IDP08E65D2XKSA1的详细信息,包括IDP08E65D2XKSA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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