IDH09G65C5XKSA2

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO220-2-1
数量：: 3168
说明：: DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-1

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IDH09G65C5XKSA2 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：PG-TO220-2-1
封装/外壳：TO-220-2
安装类型：通孔
不同?Vr、F 时电容：270pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：160 μA @ 650 V
反向恢复时间 (trr)：0 ns
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 9 A
电流 - 平均整流 (Io)：9A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
产品状态：不适用于新设计
包装：CoolSiC?+
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

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