IDDD06G65C6XTMA1

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：PG-HDSOP-10-1
封装/外壳：10-PowerSOP 模块
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：302pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：20 μA @ 420 V
反向恢复时间 (trr)：0 ns
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：-
电流 - 平均整流 (Io)：18A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
产品状态：在售
包装：CoolSiC?+
系列：卷带（TR）
品牌：Infineon Technologies

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