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IDC51D120T6MX1SA3

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 带箔切割晶片
数量：
 4347  
说明：
 DIODE GP 1.2KV 100A WAFER
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IDC51D120T6MX1SA3 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：带箔切割晶片
封装/外壳：模具
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：18 μA @ 1200 V
反向恢复时间 (trr)：-
速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.05 V @ 100 A
电流 - 平均整流 (Io)：100A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
技术：标准
产品状态：在售
包装：-
系列：散装
品牌：Infineon Technologies

以上是IDC51D120T6MX1SA3的详细信息，包括IDC51D120T6MX1SA3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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