IDC08S120EX1SA3

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 带箔切割晶片
数量：: 4698
说明：: DIODE SIL CARB 1.2KV 7.5A WAFER

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：带箔切割晶片
封装/外壳：模具
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：380pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：180 μA @ 1200 V
反向恢复时间 (trr)：0 ns
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 7.5 A
电流 - 平均整流 (Io)：7.5A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
产品状态：停产
包装：CoolSiC?+
系列：散装
品牌：Infineon Technologies

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