IDB30E60ATMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO263-3-2
数量：: 3384
说明：: DIODE GP 600V 52.3A TO263-3-2

一、本商品被浏览0次.

IDB30E60ATMA1 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：PG-TO263-3-2
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：50 μA @ 600 V
反向恢复时间 (trr)：126 ns
速度：快速恢复 = 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2 V @ 30 A
电流 - 平均整流 (Io)：52.3A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
技术：标准
产品状态：最后售卖
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IDB30E60ATMA1的详细信息，包括IDB30E60ATMA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他二极管与整流器产品：

TVS二极管稳压二极管变容二极管桥式整流器整流器

肖特基二极管与整流器最新产品：