IDB18E120ATMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO263-3-2
数量：: 3771
说明：: DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：PG-TO263-3-2
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：100 μA @ 1200 V
反向恢复时间 (trr)：195 ns
速度：快速恢复 = 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.15 V @ 18 A
电流 - 平均整流 (Io)：31A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
技术：标准
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Infineon Technologies

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