HN2S03T(TE85L)

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中文参数如下：
封装：TESQ
封装/外壳：4-SMD，扁平引线
安装类型：表面贴装型
工作温度 - 结：125°C（最大）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：500 nA @ 20 V
反向恢复时间 (trr)：-
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：550 mV @ 50 mA
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：50mA
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：20 V
技术：肖特基
二极管配置：2 个独立式
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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