HN2D01FU(TE85L,F)

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中文参数如下：
封装：US6
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
安装类型：表面贴装型
工作温度 - 结：125°C（最大）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：500 nA @ 80 V
反向恢复时间 (trr)：4 ns
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.2 V @ 100 mA
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：80mA
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：80 V
技术：标准
二极管配置：3 个独立式
产品状态：在售
包装：-
系列：剪切带（CT）
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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