HN1D04FUTE85LF

厂家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封装:
 US6
数量:
 3618  
说明:
 DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
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HN1D04FUTE85LF PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:US6
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
安装类型:表面贴装型
工作温度 - 结:150°C(最大)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 80 V
反向恢复时间 (trr):1.6 ns
速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V
技术:标准
二极管配置:2 对串联
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

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