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中文参数如下:
工厂包装数量:1000
输出设备:NPN Phototransistor
每芯片的通道数量:1 Channel
最大上升时间:3 us
最大反向二极管电压:6 V
最大输入二极管电流:50 mA
最大下降时间:3 us
正向电流:10 mA
包装形式:Reel
封装形式:ESOP-4
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 100 C
最大功率耗散:150 mW
最大集电极电流:80 mA
最大正向二极管电压:1.3 V
电流传递比:100 % to 200 %
绝缘电压:3750 Vrms
最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V
最大集电极/发射极电压:80 V
输入类型:DC
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor
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