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HIP6601BCB

厂家：
  Intersil
封装：
 8-SOIC
数量：
 8370  
说明：
 IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC
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HIP6601BCB-8-SOIC图片

HIP6601BCB PDF参数资料

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中文参数如下：
配置高端和低端，同步
输入类型PWM
延迟时间-
电流 - 峰400mA
配置数1
输出数2
高端电压 - 最大（自引导启动）15V
电源电压10.8 V ~ 13.2 V
工作温度0°C ~ 85°C

以上是HIP6601BCB的详细信息，包括HIP6601BCB厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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