首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > IGBT 晶体管 > HGTP3N60C3D

HGTP3N60C3D

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220AB-3
数量：
 1521  
说明：
 IGBT 晶体管
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

HGTP3N60C3D PDF参数资料

中文参数如下：

安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 40 C
集电极最大连续电流 Ic：6 A
封装形式：TO-220AB-3
最大工作温度：+ 150 C
在25 C的连续集电极电流：6 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGTP3N60C3D的详细信息，包括HGTP3N60C3D厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

IGBT 晶体管最新产品：

  • MMIX1G120N120A3V1
  • IXBH14N300HV
  • IXBF42N300
  • IXYN300N65A3
  • IXGF20N250
  • IXBT32N300HV
  • IXYA12N250CHV
  • IXBF20N300
  • IXGA20N250HV
  • IXGH30N120B3

    • 相近型号推荐

    • HGTP7N60A4图片

      HGTP7N60A4

      IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC