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HGTP3N60C3D

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220AB-3
数量：
 1521  
说明：
 IGBT 晶体管
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HGTP3N60C3D PDF参数资料

中文参数如下：

安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 40 C
集电极最大连续电流 Ic：6 A
封装形式：TO-220AB-3
最大工作温度：+ 150 C
在25 C的连续集电极电流：6 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGTP3N60C3D的详细信息，包括HGTP3N60C3D厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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