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HGTP20N35G3VL

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220AB-3
数量：
 2430  
说明：
 IGBT 晶体管 Coil Dri 20A 350V
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HGTP20N35G3VL-TO-220AB-3图片

HGTP20N35G3VL PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：HGTP20N35G3VL_NL
工厂包装数量：400
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 40 C
集电极最大连续电流 Ic：20 A
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：150 W
栅极—射极漏泄电流：590 uA
在25 C的连续集电极电流：20 A
栅极/发射极最大电压：+/- 10 V
集电极—射极饱和电压：1.6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：375 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGTP20N35G3VL的详细信息，包括HGTP20N35G3VL厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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