HGTP10N120BN

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-220-3
数量:
 1638  
说明:
 IGBT 晶体管 35A 1200V N-Ch
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HGTP10N120BN PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:HGTP10N120BN_NL
工厂包装数量:400
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 55 C
集电极最大连续电流 Ic:35 A
包装形式:Tube
封装形式:TO-220-3
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:298 W
栅极—射极漏泄电流:+/- 250 nA
在25 C的连续集电极电流:35 A
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
集电极—射极饱和电压:2.45 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
配置:Single
RoHS:是
产品种类:IGBT 晶体管
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是HGTP10N120BN的详细信息,包括HGTP10N120BN厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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