中文参数如下： 安装风格：Through Hole 最小工作温度：- 55 C 集电极最大连续电流 Ic：75 A 封装形式：TO-247-3 最大工作温度：+ 150 C 功率耗散：291 W 栅极—射极漏泄电流：250 nA 在25 C的连续集电极电流：75 A 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V 集电极—射极饱和电压：1.3 V 集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V 配置：Single RoHS：否 产品种类：IGBT 晶体管 制造商：Fairchild Semiconductor
