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中文参数如下:
包装形式:Tube
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:150 mW
封装形式:SOIC-16 Narrow
最大工作温度:+ 125 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:40 at 10 mA at 2 V
增益带宽产品fT:8000 MHz
最大直流电集电极电流:0.065 A
发射极 - 基极电压 VEBO:5.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:8 V
集电极—基极电压 VCBO:12 V
晶体管极性:NPN/PNP
配置:Quint
RoHS:是
制造商:Intersil
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