H11N3W

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 6-DIP
数量:
 1350  
说明:
 高速光耦合器
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H11N3W-6-DIP图片

H11N3W PDF参数资料

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中文参数如下:

上升时间:7.5 ns
输出设备:Photo IC
每芯片的通道数量:1 Channel
最大正向二极管电流:30 mA
最大连续输出电流:50 mA
绝缘电压:5300 Vrms
下降时间:12 ns
封装形式:PDIP-6
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
最大功率耗散:250 mW
最大反向二极管电压:6 V
最大正向二极管电压:2 V
最大波特率:5 MBps
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是H11N3W的详细信息,包括H11N3W厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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