H11N3W

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: 6-DIP
数量：: 1350
说明：: 高速光耦合器

一、本商品被浏览0次.

H11N3W PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

上升时间：7.5 ns
输出设备：Photo IC
每芯片的通道数量：1 Channel
最大正向二极管电流：30 mA
最大连续输出电流：50 mA
绝缘电压：5300 Vrms
下降时间：12 ns
封装形式：PDIP-6
最小工作温度：- 40 C
最大工作温度：+ 85 C
最大功率耗散：250 mW
最大反向二极管电压：6 V
最大正向二极管电压：2 V
最大波特率：5 MBps
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是H11N3W的详细信息，包括H11N3W厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他光耦合器/光电耦合器产品：

光隔离放大器高线性光耦合器三极与 SCR 输出光电耦合器光电二极管输出光电耦合器晶体管输出光电耦合器